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Intel inventa una memoria 3D che è 1000 volte più veloce delle attuali

30.07.2015 08:00
La nuova tecnologia di memoria di Intel e Micron rivoluzionerà il mondo dello storage e del computing

Intel, in collaborazione con Micron, ha annunciato una nuova tecnologia di memoria che porterà alla realizzazione di dischi allo stato solido ancora più capienti e soprattutto più veloci. Quanto più veloci? Anche 1000 volte rispetto alle attuali memoria NAND flash. La nuova tecnologia si chiama 3D XPoint e permette di realizzare memorie non volatili almeno 10 volte più dense rispetto alle attuali NAND, 1000 volte più veloci, ma anche 1000 volte più durature. Il nome si riferisce alla particolare struttura 3D a griglie una sopra l’altra in cui i dati vengono immagazzinati all’intersezione delle varie linee; un singolo mattoncino di 3D Xpoint può memorizzare 128 Gbit di dati (16 GByte), che potranno anche aumentare con l’evoluzione futura della tecnologia. Intel e Micron renderanno disponibili i primi campioni di memorie 3D Xpoint entro la fine del 2015, per cui è lecito aspettarsi i primi prodotti commerciali già nel 2016.

TAG: intelmemorie3D XpointSSD